图书介绍

半导体物理实验【2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载】

孙恒慧，包宗明主编著
出版社：北京：高等教育出版社
ISBN：13010·01169
出版时间：1985
标注页数：311页
文件大小：11MB
文件页数：326页
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图书目录

实验一激光测定硅单晶晶轴1

实验二硅单晶中晶体缺陷的腐蚀显示11

实验三四探针法测电阻率24

实验四扩展电阻探针法测量硅片微区电阻率变化及电阻率深度分布39

实验五电容－电压法测杂质浓度分布52

实验六二次谐波法测杂质浓度分布61

实验七硅单晶的霍耳效应与电导率69

实验八硅单晶杂质补偿度的测量83

实验九光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子的寿命97

实验十光磁效应光电导补偿法测量少数载流子寿命108

实验十一表面光电压法测量硅少数载流子扩散长度118

实验十二热激电容热激电流法测量硅中深能级中心128

实测十三瞬态电容法测量硅中深能级中心142

实验十四用深能级瞬态谱（DLTS）法测量硅中的深能级中心154

实验十五高频MOS电容－电压关系测量172

实验十六 MOS电容法测量硅的产生寿命和表面产生速度186

实验十七用三角波电压扫描法检测二氧化硅层中可动离子面密度197

实验十八扫描内光电法测量硅－二氧化硅界面可动正离子的横向分布209

实验十九用热激电流法测量硅－二氧化硅界面态密度分布220

实验二十用准静态技术测量硅－二氧化硅界面态密度分布233

实验二十一硅－二氧化硅界面态密度分布的计算机数据处理249

实验二十二超高真空下测量半导体表面吸附气体后功函数的变化265

实验二十三用椭圆偏振仪测量半导体表面介质薄膜的厚度和折射率279

附录索引304

物理常数表310

常见单位的名称和符号311